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型号 IRF7406GTRPBF
厂商 International Rectifier
描述 MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOIC
IRF7406GTRPBF PDF
代理商 IRF7406GTRPBF
产品目录绘图 IR Hexfet 8-SOIC
标准包装 1
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 45 毫欧 @ 2.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 59nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1100pF @ 25V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SO
包装 标准包装
其它名称 IRF7406GTRPBFDKR
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